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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	-200V
Corrente di drenaggio	-90A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	44mΩ
Corrente di drain pulsata	-270A
Potenza dissipata	890W
Tecnologia	PolarP™
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	205nC
Tempo di prontitudine	315ns
Tensione porta-sorgente	±30V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXTN90P20P

Modulo; transistor singolo; -200V; -90A; SOT227B; avvitabile; 890W

Specifica