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MSCSM120DAM11CT3AG

Modulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB

Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY

Indicazione del produttore:
MSCSM120DAM11CT3AG
Simbolo TME:
MSCSM120DAM11CT3AG

Specifica

Produttore
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
diodo SiC/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
202A
Cassa
SP3F
Topologia
boost chopper, termistore NTC
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
10,4mΩ
Corrente di drain pulsata
500A
Potenza dissipata
1067W
Tecnologia
SiC
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo110 g
Certificati

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MSCSM120DAM11CT3AG
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Prezzo netto per quantità da 4 pz - 188.58 USDPrezzo lordo per quantità da 4 pz - 230.06 USD
Quantità (Molteplicità: 4)