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MSCSM120TAM11CTPAG

Modulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 200A; SP6P; Press-in PCB

Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY

Indicazione del produttore:
MSCSM120TAM11CTPAG
Simbolo TME:
MSCSM120TAM11CTPAG

Specifica

Produttore
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
diodo SiC/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
200A
Cassa
SP6P
Topologia
semiponte MOSFET x3 + diodi in parallelo, termistore NTC
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
10,4mΩ
Corrente di drain pulsata
500A
Potenza dissipata
1042W
Tecnologia
SiC
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo250 g
Certificati

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MSCSM120TAM11CTPAG
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 697.54 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 851.00 EUR
Quantità (Molteplicità: 1)