MSMLG33CAE3
Diodo: TVS; 3kW; 36,7V; 56,2A; bidirezionale; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
NOVITÀ
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
MSMLG33CAE3
Simbolo TME:
MSMLG33CAE3
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di diodi | TVS | |
Potenza dissipata per impulso max. | 3kW | |
Tensione invertita max. | 33V | |
Tensione di rottura | 36,7V | |
Corrente nell'impulso max. | 56,2A | |
Struttura del semiconduttore | bidirezionale | |
Cassa | SMC | |
Montaggio | SMD | |
Corrente di dispersione | 2µA | |
Numero canali | 1 | |
Temperatura di lavoro | -65...150°C |
Peso lordo0.23 g
Certificati
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* MSMLG33CAE3Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 391 pz - 2.09 USDPrezzo lordo per quantità da 391 pz - 2.55 USD
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