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NXH006P120MNF2PTG

Modulo; transistor/transistor; 1,2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB

Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
NXH006P120MNF2PTG
Simbolo TME:
NXH006P120MNF2PTG

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
304A
Cassa
PIM36
Topologia
semi ponte MOSFET
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
7,28mΩ
Corrente di drain pulsata
912A
Potenza dissipata
950W
Tecnologia
SiC
Tensione porta-sorgente
-15...25V
Genere di confezione
vassoio
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo100 g
Certificati
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NXH006P120MNF2PTG
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Prezzo netto per quantità da 20 pz - 189.78 EURPrezzo lordo per quantità da 20 pz - 231.53 EUR
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