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NXH007F120M3F2PTHG

Modulo; transistor/transistor; 1,2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB

Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
NXH007F120M3F2PTHG
Simbolo TME:
NXH007F120M3F2PTHG

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
149A
Cassa
PIM34
Topologia
ponte ad H
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
15,9mΩ
Corrente di drain pulsata
447A
Potenza dissipata
353W
Tecnologia
SiC
Tensione porta-sorgente
-10...22V
Genere di confezione
vassoio
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo100 g
Certificati
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NXH007F120M3F2PTHG
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Prezzo netto per quantità da 20 pz - 145.00 EURPrezzo lordo per quantità da 20 pz - 176.91 EUR
Quantità (Molteplicità: 20)