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NXH008P120M3F1PTG

Modulo; transistor/transistor; 1,2kV; 145A; PIM18; Press-in PCB


Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
NXH008P120M3F1PTG
Simbolo TME:
NXH008P120M3F1PTG

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
145A
Cassa
PIM18
Topologia
semi ponte MOSFET
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
18,1mΩ
Corrente di drain pulsata
436A
Potenza dissipata
382W
Tecnologia
SiC
Tensione porta-sorgente
-10...22V
Genere di confezione
vassoio
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo100 g
Certificati
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NXH008P120M3F1PTG
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