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NXH040P120MNF1PG

Modulo; transistor/transistor; 1,2kV; 30A; PIM18; Press-in PCB

Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
NXH040P120MNF1PG
Simbolo TME:
NXH040P120MNF1PG

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
30A
Cassa
PIM18
Topologia
semi ponte MOSFET
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Resistenza nello stato di conduzione
61mΩ
Corrente di drain pulsata
60A
Potenza dissipata
113W
Tecnologia
SiC
Tensione porta-sorgente
-15...25V
Genere di confezione
vassoio
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo100 g
Certificati
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NXH040P120MNF1PG
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