QS5K2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS5K2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS5K2TR
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W; TSOT25

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:

QS5K2TR

Simbolo TME:

QS5K2TR

Prezzo netto per quantità da 1 pz - 0.86 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 1.04 EUR

Prezzo netto per quantità da 10 pz - 0.58 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 0.71 EUR

Prezzo netto per quantità da 50 pz - 0.42 EURPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 0.51 EUR

Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.37 EURPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 0.45 EUR

Prezzo netto per quantità da 500 pz - 0.27 EURPrezzo lordo per quantità da 500 pz - 0.33 EUR

Prezzo netto per quantità da 1000 pz - 0.24 EURPrezzo lordo per quantità da 1000 pz - 0.30 EUR

Prezzo netto per quantità da 1500 pz - 0.23 EURPrezzo lordo per quantità da 1500 pz - 0.28 EUR

Prezzo netto per quantità da 3000 pz - 0.21 EURPrezzo lordo per quantità da 3000 pz - 0.26 EUR

Prezzo netto per quantità da 6000 pz - 0.19 EURPrezzo lordo per quantità da 6000 pz - 0.23 EUR

Prezzo netto per quantità da 9000 pz - 0.18 EURPrezzo lordo per quantità da 9000 pz - 0.22 EUR

Quantità (Molteplicità: 1)

Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.

Produttore	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor	N-MOSFET x2
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	30V
Corrente di drenaggio	2A
Corrente di drain pulsata	8A
Potenza dissipata	1,25W
Cassa	TSOT25
Tensione porta-sorgente	±12V
Resistenza nello stato di conduzione	154mΩ
Montaggio	SMD
Carico della porta	2,8nC
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Struttura del semiconduttore	sorgente comune
Versione	ESD