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QS8J2TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W; ESD

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
QS8J2TR
Simbolo TME:
QS8J2TR

Specifica

Produttore
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor
P-MOSFET x2
Polarizzazione
unipolare
Tensione drenaggio-fonte
-12V
Corrente di drenaggio
-4A
Corrente di drain pulsata
-12A
Potenza dissipata
1,5W
Cassa
TSMT8
Tensione porta-sorgente
±10V
Resistenza nello stato di conduzione
132mΩ
Montaggio
SMD
Carico della porta
20nC
Genere di confezione
bobina, nastro
Genere di canale
arricchito
Versione
ESD
Peso lordo0.1 g
Certificati

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QS8J2TR
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