QS8J4TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J4TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J4TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -30V; -4A; Idm: -16A; 1,5W; ESD

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:

QS8J4TR

Simbolo TME:

QS8J4TR

Prezzo netto per quantità da 3000 pz - 0.30 EURPrezzo lordo per quantità da 3000 pz - 0.37 EUR

Prezzo netto per quantità da 6000 pz - 0.29 EURPrezzo lordo per quantità da 6000 pz - 0.35 EUR

Prezzo netto per quantità da 9000 pz - 0.28 EURPrezzo lordo per quantità da 9000 pz - 0.35 EUR

Prezzo netto per quantità da 15000 pz - 0.28 EURPrezzo lordo per quantità da 15000 pz - 0.34 EUR

Prezzo netto per quantità da 21000 pz - 0.27 EURPrezzo lordo per quantità da 21000 pz - 0.33 EUR

Quantità (Molteplicità: 3 000)

Quantità minima possibile da ordinare: 3 000.
Molteplicità: 3 000.

Produttore	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor	P-MOSFET x2
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	-30V
Corrente di drenaggio	-4A
Corrente di drain pulsata	-16A
Potenza dissipata	1,5W
Cassa	TSMT8
Tensione porta-sorgente	±20V
Resistenza nello stato di conduzione	84mΩ
Montaggio	SMD
Carico della porta	8,4nC
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Versione	ESD