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QS8J5TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -30V; -5A; Idm: -20A; 1,5W; ESD


Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
QS8J5TR
Simbolo TME:
QS8J5TR

Specifica

Produttore
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor
P-MOSFET x2
Polarizzazione
unipolare
Tensione drenaggio-fonte
-30V
Corrente di drenaggio
-5A
Corrente di drain pulsata
-20A
Potenza dissipata
1,5W
Cassa
TSMT8
Tensione porta-sorgente
±20V
Resistenza nello stato di conduzione
63mΩ
Montaggio
SMD
Carico della porta
19nC
Genere di confezione
bobina, nastro
Genere di canale
arricchito
Versione
ESD
Peso lordo0.1 g
Certificati

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