SI3552DV-T1-E3

Name: VISHAY SI3552DV-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI3552DV-T1-E3
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 30/-30V; 2,5/-1,8A

Produttore: VISHAY

Indicazione del produttore:

SI3552DV-T1-E3

Simbolo TME:

SI3552DV-T1-E3

Prezzo netto per quantità da 1 pz - 1.18 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 1.44 USD

Prezzo netto per quantità da 5 pz - 0.98 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 1.19 USD

Prezzo netto per quantità da 25 pz - 0.70 USDPrezzo lordo per quantità da 25 pz - 0.85 USD

Prezzo netto per quantità da 50 pz - 0.60 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 0.73 USD

Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.51 USDPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 0.62 USD

Prezzo netto per quantità da 250 pz - 0.43 USDPrezzo lordo per quantità da 250 pz - 0.52 USD

Prezzo netto per quantità da 500 pz - 0.38 USDPrezzo lordo per quantità da 500 pz - 0.46 USD

Prezzo netto per quantità da 1000 pz - 0.37 USDPrezzo lordo per quantità da 1000 pz - 0.45 USD

Quantità (Molteplicità: 1)

Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.

Il prodotto è disponibilie solo fino all'esaurimento delle scorte a magazzino

Metodo di confezionamento del produttoreBobina = 3 000 pz

Produttore	VISHAY
Tipo del transistor	N/P-MOSFET
Tecnologia	TrenchFET®
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	30/-30V
Corrente di drenaggio	2,5/-1,8A
Corrente di drain pulsata	-7...8A
Potenza dissipata	1,15W
Cassa	SC74, TSOP6
Tensione porta-sorgente	±20V
Resistenza nello stato di conduzione	360/175mΩ
Montaggio	SMD
Carico della porta	3,6/3,2nC
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito