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Produttore	VISHAY
Tipo del transistor	N-MOSFET x2
Tecnologia	TrenchFET®
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	24V
Corrente di drenaggio	11A
Corrente di drain pulsata	40A
Potenza dissipata	5,7W
Cassa	MICROFOOT®
Tensione porta-sorgente	±12V
Resistenza nello stato di conduzione	37mΩ
Montaggio	SMD
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito

SI8902AEDB-T2-E1

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 24V; 11A; Idm: 40A

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