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Produttore	STMicroelectronics
Tipo del transistor	N-MOSFET
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	100V
Corrente di drenaggio	62A
Corrente di drain pulsata	320A
Potenza dissipata	120W
Cassa	DPAK
Tensione porta-sorgente	±20V
Resistenza nello stato di conduzione	8mΩ
Montaggio	SMD
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito

STD100N10F7

Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK

Specifica

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