STD5NM60-1
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 3,1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Produttore: STMicroelectronics
Indicazione del produttore:
STD5NM60-1
Simbolo TME:
STD5NM60-1
Specifica
Produttore | STMicroelectronics | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | MDmesh™ | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 650V | |
Corrente di drenaggio | 3,1A | |
Corrente di drain pulsata | 20A | |
Potenza dissipata | 96W | |
Cassa | IPAK | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 1Ω | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 18nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo0.41 g
Certificati
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* STD5NM60-1Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 75 pz