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Produttore	STMicroelectronics
Tipo del transistor	N-MOSFET
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	650V
Corrente di drenaggio	2,9A
Corrente di drain pulsata	18A
Potenza dissipata	60W
Cassa	DPAK
Tensione porta-sorgente	±25V
Resistenza nello stato di conduzione	1,2Ω
Montaggio	SMD
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Versione	ESD

STD6N60M2

Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2,9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD

Specifica

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