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Produttore	STMicroelectronics
Tipo del transistor	N-MOSFET
Tecnologia	SuperMesh™
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	800V
Corrente di drenaggio	4A
Potenza dissipata	110W
Cassa	DPAK
Tensione porta-sorgente	±30V
Resistenza nello stato di conduzione	0,95Ω
Montaggio	SMD
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Versione	ESD

STD8N80K5

Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 4A; 110W; DPAK; ESD

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