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STGAP2SICSC

IC: driver; Gate driver SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGAP2SICSC
Simbolo TME:
STGAP2SICSC

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo di circuito integrato
driver
Genere di circuito integrato
Gate driver SiC MOSFET
Cassa
SO8-W
Corrente d'uscita
-4...4A
Tensione d'uscita
1,2kV
Numero canali
1
Proprieta dei circuiti integrati
separazione galvanica
Montaggio
SMD
Temperatura di lavoro
-40...125°C
Genere di confezione
tubo
Tensione di alimentazione
  • 3,1...5,5V
Peso lordo10 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Driver MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
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STGAP2SICSC
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 5.14 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 6.27 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 3.91 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 4.77 USD
Prezzo netto per quantità da 25 pz - 3.39 USDPrezzo lordo per quantità da 25 pz - 4.14 USD
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 3.15 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 3.84 USD
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Quantità (Molteplicità: 1)