STGAP2SICSTR
IC: driver; Gate driver SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Produttore: STMicroelectronics
Indicazione del produttore:
STGAP2SICSTR
Simbolo TME:
STGAP2SICSTR
Specifica
Produttore | STMicroelectronics | |
Tipo di circuito integrato | driver | |
Genere di circuito integrato | Gate driver SiC MOSFET | |
Cassa | SO8-W | |
Corrente d'uscita | -4...4A | |
Tensione d'uscita | 1,2kV | |
Numero canali | 1 | |
Proprieta dei circuiti integrati | separazione galvanica | |
Montaggio | SMD | |
Temperatura di lavoro | -40...125°C | |
Genere di confezione | bobina, nastro |
Tensione di alimentazione
- 3,1...5,5V
Peso lordo1 g
Certificati
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Quantità (Molteplicità: 1)
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