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STGAP2SICSTR

IC: driver; Gate driver SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGAP2SICSTR
Simbolo TME:
STGAP2SICSTR

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo di circuito integrato
driver
Genere di circuito integrato
Gate driver SiC MOSFET
Cassa
SO8-W
Corrente d'uscita
-4...4A
Tensione d'uscita
1,2kV
Numero canali
1
Proprieta dei circuiti integrati
separazione galvanica
Montaggio
SMD
Temperatura di lavoro
-40...125°C
Genere di confezione
bobina, nastro
Tensione di alimentazione
  • 3,1...5,5V
Peso lordo1 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Driver MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
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STGAP2SICSTR
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