STGAP2SICSTR
IC: driver; Gate driver SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Produttore: STMicroelectronics
Indicazione del produttore:
STGAP2SICSTR
Simbolo TME:
STGAP2SICSTR
Specifica
Produttore | STMicroelectronics | ||
Tipo di circuito integrato | driver | ||
Genere di circuito integrato | Gate driver SiC MOSFET | ||
Cassa | SO8-W | ||
Corrente d'uscita | -4...4A | ||
Tensione d'uscita | 1,2kV | ||
Numero canali | 1 | ||
Proprieta dei circuiti integrati | separazione galvanica | ||
Montaggio | SMD | ||
Temperatura di lavoro | -40...125°C | ||
Genere di confezione | bobina, nastro |
Tensione di alimentazione
- 3,1...5,5V
Peso lordo1 g
Certificati
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* STGAP2SICSTRQuantità (Molteplicità: 1)
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