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TPS2813DR

IC: driver; Gate driver MOSFET; SO8; -2÷2A; 180mV÷9,9V; Ch: 2


Produttore: TEXAS INSTRUMENTS

Indicazione del produttore:
TPS2813DR
Simbolo TME:
TPS2813DR

Specifica

Produttore
TEXAS INSTRUMENTS
Tipo di circuito integrato
driver
Genere di circuito integrato
Gate driver MOSFET
Cassa
SO8
Corrente d'uscita
-2...2A
Tensione d'uscita
180mV...9,9V
Numero canali
2
Montaggio
SMD
Temperatura di lavoro
-40...125°C
Tempo di accrescimento dell'impulso
35ns
Tempo di discesa dell'impulso
35ns
Tensione d'ingresso
8...40V
Genere di confezione
bobina, nastro
Genere di uscita
inversivi, non inversisvi
Tensione di alimentazione
  • 4...14V DC
Peso lordo1 g
Certificati
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TPS2813DR
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