US6K2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR US6K2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: US6K2TR
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 1,4A; Idm: 5,6A; 1W; TUMT6

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:

US6K2TR

Simbolo TME:

US6K2TR

Prezzo netto per quantità da 1 pz - 0.77 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 0.93 EUR

Prezzo netto per quantità da 10 pz - 0.51 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 0.62 EUR

Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.34 EURPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 0.41 EUR

Prezzo netto per quantità da 500 pz - 0.26 EURPrezzo lordo per quantità da 500 pz - 0.32 EUR

Prezzo netto per quantità da 1000 pz - 0.24 EURPrezzo lordo per quantità da 1000 pz - 0.29 EUR

Prezzo netto per quantità da 3000 pz - 0.21 EURPrezzo lordo per quantità da 3000 pz - 0.25 EUR

Prezzo netto per quantità da 6000 pz - 0.19 EURPrezzo lordo per quantità da 6000 pz - 0.24 EUR

Prezzo netto per quantità da 9000 pz - 0.19 EURPrezzo lordo per quantità da 9000 pz - 0.23 EUR

Prezzo netto per quantità da 15000 pz - 0.18 EURPrezzo lordo per quantità da 15000 pz - 0.21 EUR

Prezzo netto per quantità da 21000 pz - 0.17 EURPrezzo lordo per quantità da 21000 pz - 0.21 EUR

Quantità (Molteplicità: 1)

Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.

Produttore	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor	N-MOSFET x2
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	30V
Corrente di drenaggio	1,4A
Corrente di drain pulsata	5,6A
Potenza dissipata	1W
Cassa	TUMT6
Tensione porta-sorgente	±20V
Resistenza nello stato di conduzione	0,38Ω
Montaggio	SMD
Carico della porta	1,4nC
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Versione	ESD