VMO550-01F
Modulo; transistor singolo; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
VMO550-01F
Simbolo TME:
VMO550-01F
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 100V | |
Corrente di drenaggio | 590A | |
Cassa | Y3-DCB | |
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 2,1mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 2,36kA | |
Potenza dissipata | 2,2kW | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 2µC | |
Tempo di prontitudine | 300ns | |
Tensione porta-sorgente | ±20V | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | Uscita Kelvin | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo50 g
Certificati
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* VMO550-01FQuantità (Molteplicità: 1)
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