GeneSiC SEMICONDUCTOR

L'azienda GeneSiC Semiconductor è stata fondata nel 2002 negli Stati Uniti e fin dall'inizio dell'attività si è concentrata sullo sviluppo, il collaudo e la produzione di componenti innovativi nella nuova tecnologia del carburo di silicio (SiC, ossia silicon carbide). Il risultato di queste attività sono principalmente diodi SiC e transistor caratterizzati da basse perdite, elevata efficienza e resistenza alle alte temperature di esercizio. Queste soluzioni vengono utilizzate ovunque le condizioni o i requisiti superino le capacità della classica tecnologia del silicio, in particolare nei convertitori di energia rinnovabile, nei controller ad alta potenza utilizzati nel campo dell'automazione industriale e dell'energia, nonché nelle applicazioni nel campo militare e in molte altre applicazioni.

Il catalogo della TME comprende una serie di componenti a semiconduttori del marchio GenaSiC in cui viene utilizzato il carburo di silicio. Si tratta ad es. di diodi Schottky (sia THT, che SMD) con resistenza di corrente fino a 50A (impulso 400A), nonché moduli di diodi (avvitati) con una conduttività massima fino a 420A (800A in impulso). Offriamo anche transistor unipolari MOSFET e componenti correlati del portafoglio del fornitore.