A1P50S65M2
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 50A
Gamintojas: STMicroelectronics
Gamintojo žymėjimas:
A1P50S65M2
TME Simbolis:
A1P50S65M2
Specifikacija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT half-bridge x3, NTC thermistor | |
Max. off-state voltage | 650V | |
Collector current | 50A | |
Case | ACEPACK™1 | |
Application | Inverter, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 100A | |
Power dissipation | 208W | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė50 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 43.05 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 52.09 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 42.13 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 50.97 EUR