APTGT50H60RT3G
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; SP3F
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
APTGT50H60RT3G
TME Simbolis:
APTGT50H60RT3G
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | H-bridge, NTC thermistor, single-phase diode bridge | |
Max. off-state voltage | 0,6kV | |
Collector current | 50A | |
Korpusas | SP3F | |
Paskirtis | fotovoltika | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 100A | |
Technologija | Field Stop, Trench | |
Mechaninis montavimas | screw |
Bruto masė110 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3GVienetų skaičius (Kartotinumas: 14)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 14 vnt. - 56.81 EURBendroji kaina už kiekius nuo 14 vnt. - 68.74 EUR
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams