B2M030120N
Modulis; vienas tranzistorius; 1,2kV; 47A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
B2M030120N
TME Simbolis:
B2M030120N
Specifikacija
Gamintojas | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,2kV | |
Dreno srovė | 47A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 50mΩ | |
Impulsinė dreno srovė | 151A | |
Išsklaidoma galia | 223W | |
Technologija | SiC | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros-šaltinio įtampa | -4...18V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Puslaidininkinių elementų savybės
- integrated anti-parallel diode
- Kelvino išvadas
Bruto masė1 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M030120NVienetų skaičius (Kartotinumas: 150)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 150 vnt. - 10.90 USDBendroji kaina už kiekius nuo 150 vnt. - 13.19 USD