IXFN80N50
Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN80N50
TME Simbolis:
IXFN80N50
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 80A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 55mΩ | |
Pulsed drain current | 320A | |
Power dissipation | 694W | |
Technology | HiPerFET™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 380nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė37.16 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50Vienetų skaičius (Kartotinumas: 300)
0 sandėlyje TME
Specialiai užsakoma prekė
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.