IXFN82N60P
Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN82N60P
TME Simbolis:
IXFN82N60P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 600V | |
Drain current | 72A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 75mΩ | |
Pulsed drain current | 200A | |
Power dissipation | 1,04kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 240nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė29.69 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 37.05 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 44.84 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 30.37 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 36.74 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 100 vnt. - 28.46 EURBendroji kaina už kiekius nuo 100 vnt. - 34.43 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.