APT50GR120JD30
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT50GR120JD30
TME Simbols:
APT50GR120JD30
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 50A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 200A | |
Technology | NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8® | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GR120JD30Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.29 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.80 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.75 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.57 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem