IXYN100N65B3D1
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXYN100N65B3D1
TME Simbols:
IXYN100N65B3D1
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 650V | |
Collector current | 100A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 490A | |
Power dissipation | 600W | |
Technology | GenX3™, XPT™ | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* IXYN100N65B3D1Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.62 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.52 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.89 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 41.00 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.93 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.21 USD