IXYN150N60B3
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXYN150N60B3
TME Simbols:
IXYN150N60B3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 0,6kV | |
Collector current | 140A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 750A | |
Power dissipation | 830W | |
Technology | GenX3™, XPT™ | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* IXYN150N60B3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.21 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 41.60 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 50.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.70 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 44.41 EUR