MIXA30W1200TML
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
MIXA30W1200TML
TME Simbols:
MIXA30W1200TML
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT three-phase bridge, NTC thermistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 30A | |
Case | E1-Pack | |
Application | fans, for pump, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 75A | |
Power dissipation | 150W | |
Technology | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto10 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* MIXA30W1200TMLGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 30.11 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 36.43 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 27.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 32.68 EUR