BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Pusvadītāji
(98)Produktu: 98
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.21 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.89 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.56 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.29 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.14 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.59 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.90 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.71 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.51 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.36 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.27 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.53 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.42 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.13 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.79 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.17 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.11 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.88 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.06 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.79 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.96 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.74 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.90 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 68A; 187W
Oriģināls simbols: B2M080120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.01 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.60 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.44 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.35 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.63 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 39A; 123W
Oriģināls simbols: B2M160120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.44 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.29 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.57 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.15 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.03 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.96 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.16 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227; screw
Oriģināls simbols: B3DM060065N
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.50 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.07 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 150)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 68A; 187W
Oriģināls simbols: AB2M080120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.12 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.80 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.23 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.08 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.52 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Oriģināls simbols: B3D05120E
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.44 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.54 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.34 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.31 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.29 EURBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.26 EURBruto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.31 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W
Oriģināls simbols: B3M025065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.65 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.39 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.89 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.11 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.55 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.90 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.78 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.15 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 76A; Idm: 166A; 375W; TOLL
Oriģināls simbols: B3M025065L
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 1.22 EURBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 1.48 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 2 000)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 225A; 600W
Oriģināls simbols: B3M020120ZL
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.63 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 4.16 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 5.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.68 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.45 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.31 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 4.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.08 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.73 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.04 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.85 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.63 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.97 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.47 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.36 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO263-3; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Oriģināls simbols: B3D10065F
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.69 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.46 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.56 EUR
Neto cena par daudzumiem no 400 gab - 0.42 EURBruto cena par daudzumiem no 400 gab - 0.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 800 gab - 0.38 EURBruto cena par daudzumiem no 800 gab - 0.46 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 127A; Idm: 360A; 750W
Oriģināls simbols: B3M013C120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.70 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.47 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Oriģināls simbols: B2M040120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.39 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.05 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.70 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.43 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.93 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.27 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.74 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module; single transistor; 1.2kV; 47A; SOT227B; screw; Idm: 151A
Oriģināls simbols: B2M030120N
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.56 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.57 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 150)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 65W; tube
Oriģināls simbols: B3D04065K
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.68 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.82 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.38 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.29 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.24 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.22 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.27 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.20 EURBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.24 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 469W
Oriģināls simbols: B3D30120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.29 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.05 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.49 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.82 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.64 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.53 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.85 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)