BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Pusvadītāji

(220)

Slēpt neaktīvos filtrus

Produktu: 220

Noliktava:

Pieejamas noliktavā [60]

Jaunumi [0]

Lapa 1

B3M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Oriģināls simbols: B3M040120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.47 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.99 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.22 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.69 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.96 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.37 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.14 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.65 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.00 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D30065H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; 268W; tube

Oriģināls simbols: B3D30065H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.55 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.88 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.40 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.70 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.24 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.50 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.12 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.35 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.03 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.26 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D04065K

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 65W; tube

Oriģināls simbols: B3D04065K

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.69 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.83 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.39 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.47 EUR

Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.29 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.35 EUR

Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.25 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.30 EUR

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.23 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.27 EUR

Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.20 EURBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.24 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D50120H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; 750W

Oriģināls simbols: B3D50120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.47 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.20 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.12 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.78 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.76 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.33 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.00 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.31 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.80 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D04065KS

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220ISO; 54W; tube

Oriģināls simbols: B3D04065KS

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.64 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.48 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.58 EUR

Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.42 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.51 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

BGH75N120HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

Oriģināls simbols: BGH75N120HF1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.25 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.40 EUR

Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.27 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.21 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.20 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.92 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.37 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.92 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D10120H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 181W

Oriģināls simbols: B3D10120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.07 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.30 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.17 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.85 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.02 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.93 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.87 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2M600170H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W

Oriģināls simbols: B2M600170H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.06 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.26 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.73 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.00 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.43 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.81 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.19 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.69 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.04 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D30120H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V

Oriģināls simbols: B2D30120H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 900 gab - 5.74 EURBruto cena par daudzumiem no 900 gab - 6.94 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 900)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 900.
Daudzkārtīgums: 900.

B2D02120K1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA

Oriģināls simbols: B2D02120K1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.80 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.97 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.73 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.88 EUR

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.64 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.77 EUR

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.57 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.69 EUR

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.54 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.65 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D05120K1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA

Oriģināls simbols: B2D05120K1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.45 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.75 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.31 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.58 EUR

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.15 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.39 EUR

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.03 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.26 EUR

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.17 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20065H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA

Oriģināls simbols: B2D20065H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.14 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.01 EUR

Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 3.73 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 4.51 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.99 EUR

Neto cena par daudzumiem no 60 gab - 2.97 EURBruto cena par daudzumiem no 60 gab - 3.59 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.76 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.34 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

BTL27524R

IC: driver; low-side,gate driver; SOP8; -5÷5A; Ch: 2; 4.5÷20VDC

Oriģināls simbols: BTL27524R

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.95 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.15 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.82 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.99 EUR

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.87 EUR

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.65 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.78 EUR

Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.61 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.73 EUR

Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.57 EURBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.69 EUR

Neto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.54 EURBruto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.65 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D06065E1

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape

Oriģināls simbols: B2D06065E1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.41 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.26 EUR

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.92 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.12 EUR

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.84 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.01 EUR

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.94 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20065TF

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA

Oriģināls simbols: B2D20065TF

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.44 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.53 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.05 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.37 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.87 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai

B2D10120H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V

Oriģināls simbols: B2D10120H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.00 EUR

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.20 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.66 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.97 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.39 EUR

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.84 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.22 EUR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.15 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D02120E1

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape

Oriģināls simbols: B2D02120E1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.03 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.26 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.94 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.14 EUR

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.82 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.99 EUR

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.75 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.90 EUR

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.68 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.82 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

BGH50N65HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Oriģināls simbols: BGH50N65HF1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.04 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.50 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.71 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.25 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.19 EUR

Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.74 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.37 EUR

Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.48 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.04 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20120HC1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W

Oriģināls simbols: B2D20120HC1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.24 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 4.63 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.61 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.09 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.95 EUR

Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 3.43 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.15 EUR

Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 3.32 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.01 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20120H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA

Oriģināls simbols: B2D20120H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.24 EUR

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 4.63 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.61 EUR

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.09 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.95 EUR

Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 3.43 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.15 EUR

Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 3.32 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.01 EUR

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.