A1C15S12M3
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A
Producent: STMicroelectronics
Oznaczenie producenta:
A1C15S12M3
Symbol TME:
A1C15S12M3
Specyfikacja
Producent | STMicroelectronics | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | boost chopper, mostek 3-fazowy diodowy, półmostek IGBT x3, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 15A | |
Obudowa | ACEPACK™1 | |
Zastosowanie | falownik, silniki | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 30A | |
Moc rozpraszana | 142,8W | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto50 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT STMicroelectronics,
* A1C15S12M3Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 45.55 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 56.03 EUR
Cena netto dla ilości od 5 szt - 40.27 EURCena brutto dla ilości od 5 szt - 49.53 EUR
Cena netto dla ilości od 10 szt - 38.86 EURCena brutto dla ilości od 10 szt - 47.79 EUR