A1P35S12M3
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x3; Ic: 35A
Producent: STMicroelectronics
Oznaczenie producenta:
A1P35S12M3
Symbol TME:
A1P35S12M3
Specyfikacja
Producent | STMicroelectronics | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | tranzystor/tranzystor | |
Topologia | półmostek IGBT x3, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 35A | |
Obudowa | ACEPACK™1 | |
Zastosowanie | falownik, silniki | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 70A | |
Moc rozpraszana | 250W | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto24.84 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT STMicroelectronics,
* A1P35S12M3Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
12 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 44.30 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 54.49 EUR
Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych
Sposób pakowania przez producentaKarton = 18 szt