A2P75S12M3
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x3; Ic: 75A
Producent: STMicroelectronics
Oznaczenie producenta:
A2P75S12M3
Symbol TME:
A2P75S12M3
Specyfikacja
Producent | STMicroelectronics | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | tranzystor/tranzystor | |
Topologia | półmostek IGBT x3, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 75A | |
Obudowa | ACEPACK™2 | |
Zastosowanie | falownik, silniki | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 150A | |
Moc rozpraszana | 454,5W | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto50 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT STMicroelectronics
* A2P75S12M3Skorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Produkt wycofany z oferty