APT35GP120J
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT35GP120J
Symbol TME:
APT35GP120J
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 29A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±30V | |
Prąd kolektora w impulsie | 140A | |
Technologia | POWER MOS 7®, PT | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto36.43 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT35GP120JIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
1 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 43.69 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 53.74 USD
Cena netto dla ilości od 3 szt - 39.33 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 48.37 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 34.75 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 42.74 USD
Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta