APT50GF120JRD
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT50GF120JRD
Symbol TME:
APT50GF120JRD
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | ||
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | ||
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | ||
Prąd kolektora | 64A | ||
Obudowa | SOT227B | ||
Montaż elektryczny | przykręcany | ||
Napięcie bramka - emiter | ±30V | ||
Prąd kolektora w impulsie | 225A | ||
Technologia | NPT | ||
Rodzaj opakowania | tuba | ||
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDSkorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Produkt wycofany z oferty
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta