APT50GF120JRDQ3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT50GF120JRDQ3
Symbol TME:
APT50GF120JRDQ3
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 64A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±30V | |
Prąd kolektora w impulsie | 225A | |
Technologia | Fast IGBT, FRED, NPT | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GF120JRDQ3Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 125.27 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 154.07 USD
Cena netto dla ilości od 3 szt - 112.74 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 138.67 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 99.62 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 122.53 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta