APT50GR120JD30
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT50GR120JD30
Symbol TME:
APT50GR120JD30
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 50A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±30V | |
Prąd kolektora w impulsie | 200A | |
Technologia | NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8® | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GR120JD30Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 52.32 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 64.36 USD
Cena netto dla ilości od 3 szt - 47.08 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 57.91 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 41.60 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 51.17 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta