APT60GF120JRD
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT60GF120JRD
Symbol TME:
APT60GF120JRD
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 79A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±30V | |
Prąd kolektora w impulsie | 300A | |
Technologia | NPT | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT60GF120JRDIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 93.22 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 114.66 EUR
Cena netto dla ilości od 3 szt - 83.90 EURCena brutto dla ilości od 3 szt - 103.20 EUR
Cena netto dla ilości od 10 szt - 74.14 EURCena brutto dla ilości od 10 szt - 91.20 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta