APT60GF120JRDQ3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT60GF120JRDQ3
Symbol TME:
APT60GF120JRDQ3
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | ||
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | ||
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | ||
Prąd kolektora | 79A | ||
Obudowa | SOT227B | ||
Montaż elektryczny | przykręcany | ||
Napięcie bramka - emiter | ±30V | ||
Prąd kolektora w impulsie | 300A | ||
Technologia | Fast IGBT, FRED, NPT | ||
Rodzaj opakowania | tuba | ||
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT60GF120JRDQ3Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 143.59 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 176.62 EUR
Cena netto dla ilości od 3 szt - 129.24 EURCena brutto dla ilości od 3 szt - 158.97 EUR
Cena netto dla ilości od 10 szt - 114.88 EURCena brutto dla ilości od 10 szt - 141.30 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta