APT75GT120JRDQ3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APT75GT120JRDQ3
Symbol TME:
APT75GT120JRDQ3
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 57A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 300A | |
Technologia | NPT, POWER MOS 7® | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 58.33 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 71.74 EUR
Cena netto dla ilości od 3 szt - 52.50 EURCena brutto dla ilości od 3 szt - 64.58 EUR
Cena netto dla ilości od 10 szt - 46.39 EURCena brutto dla ilości od 10 szt - 57.06 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta