APTCV60HM45RT3G
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTCV60HM45RT3G
Symbol TME:
APTCV60HM45RT3G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET / IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 600V | |
Prąd drenu | 38A | |
Obudowa | SP3F | |
Topologia | mostek 1-fazowy diodowy, mostek H, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 45mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 130A | |
Moc rozpraszana | 250W | |
Technologia | CoolMOS™, Field Stop, Trench | |
Napięcie bramka-źródło | ±20V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany | |
Prąd kolektora | 50A |
Masa brutto110 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTCV60HM45RT3GIlość sztuk (Wielokrotność: 12)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 12 szt - 80.50 USDCena brutto dla ilości od 12 szt - 99.01 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta