APTGL475U120DAG
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 475A; SP6C
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTGL475U120DAG
Symbol TME:
APTGL475U120DAG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | pojedynczy tranzystor + dioda szeregowa | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 475A | |
Obudowa | SP6C | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 800A | |
Technologia | Field Stop, Trench | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGL475U120DAGIlość sztuk (Wielokrotność: 5)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 5 szt - 192.51 USDCena brutto dla ilości od 5 szt - 236.79 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta