APTGT50H60RT3G
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 1-fazowy diodowy,mostek H
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTGT50H60RT3G
Symbol TME:
APTGT50H60RT3G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | mostek 1-fazowy diodowy, mostek H, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 0,6kV | |
Prąd kolektora | 50A | |
Obudowa | SP3F | |
Zastosowanie | fotowoltaika | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 100A | |
Technologia | Field Stop, Trench | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto110 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3GIlość sztuk (Wielokrotność: 14)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 14 szt - 65.15 USDCena brutto dla ilości od 14 szt - 80.13 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta