APTM10DAM05TG
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM10DAM05TG
Symbol TME:
APTM10DAM05TG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 100V | |
Prąd drenu | 207A | |
Obudowa | SP4 | |
Topologia | boost chopper, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 5mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 1100A | |
Moc rozpraszana | 780W | |
Technologia | POWER MOS 5® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto160 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DAM05TGIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 160.31 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 197.19 USD
Cena netto dla ilości od 3 szt - 144.97 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 178.32 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 128.09 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 157.56 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta