B2D20120H1
Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 159W
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Oznaczenie producenta:
B2D20120H1
Symbol TME:
B2D20120H1
Specyfikacja
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ diody | prostownicza Schottky | |
Technologia | SiC | |
Montaż | THT | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd przewodzenia | 20A | |
Struktura półprzewodnika | pojedyncza dioda | |
Obudowa | TO247-2 | |
Napięcie przewodzenia maks. | 1,78V | |
Prąd w impulsie maks. | 190A | |
Prąd upływu | 40µA | |
Moc rozpraszana | 159W | |
Rodzaj opakowania | tuba |
Masa brutto5.85 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Diody Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D20120H1
17 w magazynie TME
Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
Cena netto dla ilości od 1 szt - 5.69 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 7.00 USD
Cena netto dla ilości od 5 szt - 5.12 USDCena brutto dla ilości od 5 szt - 6.30 USD
Cena netto dla ilości od 30 szt - 4.52 USDCena brutto dla ilości od 30 szt - 5.56 USD
Cena netto dla ilości od 150 szt - 3.79 USDCena brutto dla ilości od 150 szt - 4.67 USD
Cena netto dla ilości od 600 szt - 3.66 USDCena brutto dla ilości od 600 szt - 4.50 USD
Sposób pakowania przez producenta:
Tuba = 30 szt